Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

dc.contributor.author	Шутов, С.В.
dc.date.accessioned	2017-07-19T12:56:03Z
dc.date.available	2017-07-19T12:56:03Z
dc.date.issued	1999
dc.identifier.citation	Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122743
dc.description.abstract	Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.	uk_UA
dc.description.abstract	The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для электронных компонентов	uk_UA
dc.title	Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив ізовалентного легірування вісмутом на властивості епітаксіального арсениду галія	uk_UA
dc.title.alternative	Materials for electronical components The impact of isovalent vismuth doping on properties of epitaxial gallium arsenide.	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA