Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС

dc.contributor.author	Новосядлый, С.П.
dc.contributor.author	Буджак, Я.С.
dc.date.accessioned	2017-07-17T18:25:00Z
dc.date.available	2017-07-17T18:25:00Z
dc.date.issued	1999
dc.identifier.citation	Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122697
dc.description.abstract	На основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники.	uk_UA
dc.description.abstract	Based on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы	uk_UA
dc.title	Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС	uk_UA
dc.title.alternative	Юстировка порогової напруги у технологiї виготовлення ВIС	uk_UA
dc.title.alternative	The adjustment of threshold powers in LSIC technology	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA