В работе исследовалась работоспособности полупроводниковой фотографической ионизационной камеры (ПФИК) со сверхтонкой газоразрядной ячейкой с использованием фотоприемных пластинок из кремния, легированного платиной. Экспериментально изучены вольтамперные характеристики, температурные зависимости, амперваттные характеристики, а также спектральные характеристики фототока в газоразрядной ячейке ПФИК.
В роботі досліджувалася працездатність напівпровідникової фотографічної іонізаційної камери (НФІК) з надтонкою газорозрядною коміркою з використанням фотоприймальних пластинок із кремнію, легованого платиною. Експериментально вивчено вольтамперні характеристики, температурні залежності, амперватні характеристики, а також спектральні характеристики фотоструму в газорозрядній комірці НФІК.
In the present work we investigated the performance of the semiconductor photographic ionization chamber with superfine gas discharge cell plates using a photodetector of the silicon doped with alloy addition platinum. Experimentally studied the current-voltage characteristics, temperature dependences, ampere watt characteristics and spectral characteristics of the photocurrent in the gas discharge cell.