С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорным металлическим катодным контактом). Показано, что диоды Ганна на основе InрGa1–рAs в режиме однородного поля имеют отрицательную дифференциальную проводимость в широком диапазоне частот (до 200 ГГц), а диоды Ганна на основе InP1–рAsр являются перспективными по своим энергетическим и частотным характеристикам.
За допомогою двотемпературної моделі міждолинного переносу електронів теоретично досліджені енергетичні та частотні характеристики діодів Ганна на основі InрGa1–рAs (з докритичним рівнем легування активної області у режимі однорідного поля) і на основі InP1–рAsр у пролітному режимі із запірним металевим катодним контактом. Показано, що діоди Ганна на основі InрGa1–рAs у режимі однорідного поля мають негативну диференціальну провідність у широкому діапазоні частот, а діоди Ганна на основі InP1–рAsр є перспективними за своїми енергетичними та частотними характеристиками.
Theoretically with the use of two-temperature model the power and frequency characteristics of Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs with subcritical doping level of active area in a homogeneous field regime, and InP1-pAsp Gunn diodes in transit time regime are investigated. It is shown that the Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs in a homogeneous field regime have negative differential conductivity in a wide frequency range (up to 200 GHz), and the InP1-pAsp Gunn diodes have more promising power and frequency characteristics.
