Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Safonov, V. |
|
dc.contributor.author |
Miroshnichenko, K. |
|
dc.contributor.author |
Zykova, A. |
|
dc.contributor.author |
Zavaleyev, V. |
|
dc.contributor.author |
Walkowicz, J. |
|
dc.contributor.author |
Rogowska, R. |
|
dc.date.accessioned |
2017-06-28T05:57:32Z |
|
dc.date.available |
2017-06-28T05:57:32Z |
|
dc.date.issued |
2017 |
|
dc.identifier.citation |
Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings / V. Safonov, K. Miroshnichenko, A. Zykova, V. Zavaleyev, J. Walkowicz, R. Rogowska // Вопросы атомной науки и техники. — 2017. — № 1. — С. 199-202. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1562-6016 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 68.55 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122175 |
|
dc.description.abstract |
The study presents the technology of the formation of amorphous ta-C films, deposited by pulsed vacuum-arc method with the use of a water-cooled electromagnetic Venetian blind plasma filter. The effect of the substrate bias voltage, in the range of -25 to -200 V, on the structural and surface properties of ta-C coatings was analyzed. The strong correlation between surface properties of amorphous ta-C films depending on substrate bias voltage variations and characteristic changes in the content of the diamond-like sp³ fraction was observed. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Представлена технология формирования аморфных покрытий ta-C, нанесенных импульсным вакуумно-дуговым методом с использованием охлаждаемого электромагнитного фильтра плазмы. Проанализирован эффект изменения смещения потенциала подложки в диапазоне значений от -25 до -200 В и его влияние на структурные и поверхностные свойства покрытий ta-C. Обнаружена корреляция между поверхностными свойствами аморфных покрытий ta-C и изменениями в содержании sp³-фазы в зависимости от изменения потенциала подложки. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Наведена технологія формування аморфних покриттів ta-C, нанесених імпульсним вакуум-дуговим методом з використанням охлаждаемого електромагнітного фільтра плазми. В роботі був проаналізований ефект зміни зміщення потенціалу підкладки в діапазоні значень від -25 до -200 В і його вплив на структурні і поверхневі властивості покриттів of ta-C. Була виявлена кореляція між поверхневими властивостями аморфних покриттів ta-C і змінами в змісті sp³ фази в залежності від зміни потенціалу підкладки. |
uk_UA |
dc.description.sponsorship |
The study was supported by the project IMBeingFP7-PEOPLE-2013-IRSES-612593 within the 7th FP of the European Commission and National Science Centre of Poland within the research project funded on the basis of the decision No DEC-2013/09/N/ST8/04363. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Вопросы атомной науки и техники |
|
dc.subject |
Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
uk_UA |
dc.title |
Effect of substrate bias voltage parameters on surface properties of ta-C coatings |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Эффект параметров смещения потенциала подложки на поверхностные свойства покрытий ta-C |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Ефект параметрів потенціалу зміщення підкладки на поверхневі властивості покриттів ta-C |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті