Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Nasyrov, M.U.
dc.contributor.author Ataubaeva, A.B.
dc.date.accessioned 2017-06-18T10:43:17Z
dc.date.available 2017-06-18T10:43:17Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.citation Radiation-stimulated processes in silicon structureswith contacts based on TiN / M.U. Nasyrov, A.B. Ataubaeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 220-225. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other DOI: 10.15407/spqeo18.02.220
dc.identifier.other PACS 61.80.-x
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121819
dc.description.abstract The influence of irradiation on the structural properties of titanium nitride films deposited on silicon wafers has been considered. It has been shown that depending on the energy, fluence and type of irradiation ion, observed are the increase of accumulated damages with decreasing the grain size, the grain size reduction with increasing the fluence, the increase of dislocation density and microstrains. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис