Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, том 9
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy
Інший ID:
PACS 61.10.Nz, 61.72.Ji, 68.37.Ps, 78.30.Fs, 78.55.Et
Посилання:
Growing the epitaxial undoped and N-doped ZnO films by radical beam gettering epitaxy / I.V. Rogozin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 79-82. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
Дата:
2006
Переглядів:
675
Завантажень:
400
Анотація:
Epitaxial undoped and N-doped ZnO films were obtained using the method of radical beam gettering epitaxy. Structural and luminescent properties of the obtained films were researched. In both cases, there can be seen orientation of the films along c-axis. In the spectrum of low-temperature photoluminescence of N-doped ZnO films, observed was a peak 3.31 eV probably of a neutral acceptor-bound exciton NO. The nature of donor-acceptor band 3.23 eV and green band 2.56 eV was discussed.
