Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, том 8
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 4
→
Переглянути статтю

Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method

Gorbatyuk, I.N. ; Zhikharevich, V.V. ; Ostapov, S.E.

Інший ID: PACS 74.62.Bf

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121548

Посилання: Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method / I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 22-25. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Дата: 2005

Завантажень: 279

Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method

Анотація:

This paper presents research of the process for growing the crystals of semiconductor solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe under conditions of a modified zone melting.

Показати повний запис статті