Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Structural changes in molten CdTe
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, том 3
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Structural changes in molten CdTe
Інший ID:
PACS: 61.43.D, 64.70.D,66.20
Посилання:
Structural changes in molten CdTe / L. Shcherbak, P. Feychuk, Yu. Plevachuk, Ch. Dong, V. Sklyarchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 4. — С. 456-459. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
Підтримка:
The authors are very grateful to Prof. Suck and Prof. O.E. Panchuk for the initiation of this work. The work is supported in part by European Union Grant «Coper-nicus» ERBIC 15 CT 960808.
Дата:
2000
Переглядів:
633
Завантажень:
319
Анотація:
Shear viscosity (h) measurements of CdTe and CdTe + 2 at% In melts were performed using a cup viscometer up to 1403 K. The h(T) dependencies obtained during slow heating and cooling (Vh/c = = 10-15 K/h) show hysteresys near a melting point. According to the η(T) dependencies data drastic changes the melts structure occurred at 1376 K both during the heating and cooling of the melts.
