Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, том 3
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon
Інший ID:
PACS: 72.40.
Посилання:
The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon / O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 4. — С. 453-455. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
Підтримка:
We gratefully acknowledge B.K. Serdega for helpful discussions.
Дата:
2000
Переглядів:
623
Завантажень:
427
Анотація:
Measurements of the photoconductivity (PC) and photomagnetic effect (PME) spectra of crystalline silicon were carried out for the sample under the non-uniform bend deformation. This deformation causes a decrease of the photoconductivity spectrum drop in the short-wave region when illuminating the stretched surface. Under constant deformation conditions the PME spectrum form is changed only in the long-wave region. Obtained data are explained by diffusion length decreasing as a consequence of decreasing diffusion coefficient under the influence of a strain gradient.
