Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Torchynska, T.V. |
|
dc.contributor.author |
Polupan, G.P. |
|
dc.date.accessioned |
2017-06-13T15:33:48Z |
|
dc.date.available |
2017-06-13T15:33:48Z |
|
dc.date.issued |
2002 |
|
dc.identifier.citation |
III-V material solar cells for space application / T.V. Torchynska, G.P. Polupan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 63-70. — Бібліогр.: 58 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1560-8034 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 84.60.J |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121133 |
|
dc.description.abstract |
The present paper is a review of current situation in space solar cell engineering. The comparison of the Si and III-V solar cell performances, as well as their parameter variation with temperature rise, radiation treatments and improving design were analyzed. The modern directions of the space solar cell development and international space projects, applied new types of solar cells, were discussed as well. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|
dc.title |
III-V material solar cells for space application |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті