Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Technology of manufacturing the reliable silicon photoconverters with long operation time

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Guseynov, N.A.
dc.contributor.author Askerov, Sh.Q.
dc.contributor.author Aslanov, Sh.S.
dc.contributor.author Agaev, M.N.
dc.contributor.author Gasanov, M.H.
dc.date.accessioned 2017-06-13T11:35:54Z
dc.date.available 2017-06-13T11:35:54Z
dc.date.issued 2005
dc.identifier.citation Technology of manufacturing the reliable silicon photoconverters with long operation time / N.A. Guseynov, Sh.Q. Askerov, Sh.S. Aslanov, M.N. Agaev, M.H. Gasanov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 85-87. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 84.60.Jt
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120974
dc.description.abstract We offer to use an amorphous metal alloy Al₈₀Ni₂₀ as ohmic contact and current-collecting tracks to silicon photoconverters (PC) based on p-n junctions. Technological processes for production of silicon photosensitive structures and film coatings with an amorphous structure are described. The data of the X-ray structure analysis of the metal alloy Al₈₀Ni₂₀ confirming amorphism were obtained. The key PC parameters are determined. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Technology of manufacturing the reliable silicon photoconverters with long operation time uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис