Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Spectroscopy of the solid solutions (Si₂)₁₋x(ZnS)x
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, том 8
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Spectroscopy of the solid solutions (Si₂)₁₋x(ZnS)x
Інший ID:
PACS:78.70.Fy, 78.70.Gg
Посилання:
Spectroscopy of the solid solutions (Si₂)₁₋x(ZnS)x / B. Sapaev, A.S. Saidov, I.B. Sapaev, Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko, I.N. Dmitruk, N.P. Galak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 16-18. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
Дата:
2005
Переглядів:
660
Завантажень:
261
Анотація:
Presented are the investigation of (Si₂)₁₋x(ZnS)x solid solutions. Morphological, electrical, and optical properties of the solutions are investigated. Chemical components of the solid solutions are homogeneously distributed along the thickness of the layer. The photoluminescence spectra of (Si₂)₁₋x(ZnS)x consist of a wide band with the peak within the range of 505 to 520 nm. The Raman scattering shows that approximately 19 % of silicon located directly under the epitaxial film is in amorphous phase.
