Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Parfenyuk, O.A.
dc.contributor.author Ilashchuk, M.I.
dc.contributor.author Chupyra, S.M.
dc.contributor.author Burachek, V.R.
dc.contributor.author Korbutyak, D.V.
dc.contributor.author Krylyuk, S.G.
dc.contributor.author Vakhnyak, N.D.
dc.date.accessioned 2017-06-13T11:11:40Z
dc.date.available 2017-06-13T11:11:40Z
dc.date.issued 2005
dc.identifier.citation Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface / O.A. Parfenyuk, M.I. Ilashchuk, S.M. Chupyra, V.R. Burachek, D.V. Korbutyak, S.G. Krylyuk, N.D. Vakhnyak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 72.80.Ey, 78.55.Et, 81.40.Rs, 81.40T
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120961
dc.description.abstract Influence of low-temperature annealing on electrical and luminescent properties of semi-insulating n-CdTe:Sn is studied. It is shown that annealing at T ≥ 453 K modifies a near-surface layer of the crystals and this enhances the hole component of the conductivity. It is explained by Cd evaporation and subsequent enrichment of the near-surface layer with cadmium vacancies. Results of electrical measurements are confirmed by our low-temperature photoluminescence experiments. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис