При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл
недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых
Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на
сверхпроводящем потенциале, развитому Андреевым, де Женном и Сент-Джеймсом для контакта металл
низкотемпературный сверхпроводник, предложен страйповый механизм отражений, приводящий
к полному циклу с двумя отражениями электрона и дырки от внешней границы нормального металла.
Показано, что к таким отражениям приводят ионы меди в страйпах CuO₂ - плоскости в точечном
контакте: ионы меди в D-страйпах поглощают и испускают в металл только электроны, а в U-страйпах
только дырки. При T < Tc на расстоянии от границы металл НД ВТСП, равном длине когерентности,
в D- и U-страйпах N/S контакта должны наблюдаться локальные флуктуации антиферромагнитного
(АФМ) упорядочения ионов меди: при поглощении электрона локальный АФМ порядок в страйпах
N/S контакта восстанавливается, при поглощении дырки нарушается. Уход электронов и дырок из
страйпов CuO₂ -плоскости НД ВТСП в нормальный металл свидетельствует о несовместимости этих
носителей заряда с локальным АФМ упорядочением двухвалентных ионов меди в CuO₂ - плоскости.
При T < Tc досліджено процес відбиттів електрона та дірки від межі нормальний метал недостатньо
допований високотемпературний надпровідник (НД ВТНП), які спостережено Г. Дойтсчером та
ін. на крапковому N/S контакті. На додаток до відомого механізму відбиттів на надпровідному потенц
іалі, розвиненому Андрієвим, де Женном та Сент-Джеймсом для контакту метал низькотемпературний
надпровідник, запропоновано страйповий механізм відбиттів, що призводить до повного циклу
із двома відбиттями електрона й дірки від зовнішньої границі нормального металу. Показано, що
до таких відбиттів призводять іони міді у страйпах CuO₂-площини у точковому контакті: іони міді в
D-страйпах поглинають і випромінюють у метал тільки електрони, а в U-страйпах тільки дірки.
При T < Tc на відстані від границі метал НД ВТНП, що дорівнюється довжині когерентності, у D- та
U-страйпах N/S контакту повинні спостерігатися локальні флуктуації антиферомагнітного (АФМ)
упорядкування іонів міді: при поглинанні електрона локальний АФМ порядок у страйпах N/S контакту
відновлюється, при поглинанні дірки порушується. Відхід електронів і дірок зі страйпів
CuO₂-площини НД ВТНП у нормальний метал свідчить про несумісність цих носіїв заряду з локальним
АФМ упорядкуванням двовалентних іонів міді в CuO₂-площині.
Electron and hole reflections from normal metal
(N)–underdoped high-Tc cuprates (UD HTS) interface
were studied at T < Tc . These reflections
were first observed by G. Deutscher at al. for N–S
point contact. In addition to the known Andreev-de
Gennes-Saint James mechanism of reflections on
superconducting potential, a stripe mechanism of
reflections is discussed here. It is shown that for a
point contact the copper ions in D-stripes of the
CuO₂ plane absorb and emit only electrons, and the
copper ions in U-stripes absorb and emit only holes.
At T < Tc in D- and U-stripes local fluctuations
of antiferromagnetic (AFM) order are observed at
a distance from the interface which is equal the
coherence length: the local AFM order is restored
with electron absorption and it is broken with hole
absorption. Escape of electrons and holes from the
stripes of CuO₂ plane to N metal suggests that these
charge carriers are incompatible with the local AFM
ordering of bivalent copper ions in CuO₂ planes.
