Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям

dc.contributor.author	Вайнберг, В.В.
dc.contributor.author	Гуденко, Ю.Н.
dc.contributor.author	Порошин, В.Н.
dc.contributor.author	Tулупенко, В.Н.
dc.contributor.author	Cheng, H.H.
dc.contributor.author	Yang, Z.P.
dc.contributor.author	Mashanov, V.
dc.contributor.author	Wang, K.Y.
dc.date.accessioned	2017-06-13T10:51:46Z
dc.date.available	2017-06-13T10:51:46Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.other	PACS: 71.55.–i, 78.67.De
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120945
dc.description.abstract	Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается.	uk_UA
dc.description.abstract	Експериментально показано, що при зміщенні акцепторної домішки в квантових ямах гетероструктур Si/Si1-xGex від центру до їхнього краю енергія зв язку основного стану домішки зменшу ється, а радіус локалізації носіїв збільшується.	uk_UA
dc.description.abstract	It is shown experimentally that with shifting an acceptor impurity in quantum wells of the Si/Si1–xGex heterostructures from the on-center to on-edge position its ground state binding energy decreases and localization radius of charge carriers increases.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Авторы выражают благодарность проф. О.Г. Сарбею за полезную дискуссию. Работа выполнена при поддержке совместного проекта УНTЦ и НАН Украины №3922, программы фундаментальных исследований НАН Украины «Наноструктурные системы, наноматериалы, нанотехнологии» (проект № 10/07-H).	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.subject	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках	uk_UA
dc.title	Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям	uk_UA
dc.title.alternative	Energy characteristics of the boron impurity in the Si/Si1–x Gex heterostructures with on-center and on-edge selective doping of quantum wells	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA