Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
V'yunov, O.I. |
|
dc.contributor.author |
Kovalenko, L.L. |
|
dc.contributor.author |
Belous, A.G. |
|
dc.date.accessioned |
2017-06-12T17:31:07Z |
|
dc.date.available |
2017-06-12T17:31:07Z |
|
dc.date.issued |
2003 |
|
dc.identifier.citation |
The effect of isovalent substitutions
and dopants of 3d-metals on the
properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1607-324X |
|
dc.identifier.other |
PACS: 61.66.Fn, 77.80.Bh, 78.40.Fy |
|
dc.identifier.other |
DOI:10.5488/CMP.6.2.213 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120701 |
|
dc.description.abstract |
Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system
(Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown
that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and
form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance
of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature
coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of
manganese content of PTCR materials have been investigated. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Метою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст
вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір
границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору
зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію
в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють
стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки
мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Condensed Matter Physics |
|
dc.title |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Вплив ізовалентних заміщень і домішок 3d-металів на властивості сегнетоелектриків-напівпровідників |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті