Raman scattering in crystals with order-disorder type phase transition

dc.contributor.author	Ivankiv, Ya.
dc.date.accessioned	2017-06-12T10:44:21Z
dc.date.available	2017-06-12T10:44:21Z
dc.date.issued	1999
dc.identifier.citation	Raman scattering in crystals with order-disorder type phase transition / Ya. Ivankiv // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 523-529. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1607-324X
dc.identifier.other	DOI:10.5488/CMP.2.3.523
dc.identifier.other	PACS: 77.84.Fa, 78.30.Ly
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120544
dc.description.abstract	The theory based on the “operator” two-time Green functions formalism applied for the construction of the polarizability operators entering the general expression for the effective cross-section of Raman scattering is developed. The presented microscopic scheme is applied to the investigation of the ferroelectrics with hydrogen bonds.	uk_UA
dc.description.abstract	На основі формалізму двочасових функцій Гріна розвинуто теорію побудови оператора поляризованості, що входить у загальний вираз для ефективного поперечного перерізу раманівського розсіяння. Представлена мікроскопічна схема використовується для дослідження сегнетоелектриків з водневими зв’язками.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики конденсованих систем НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Condensed Matter Physics
dc.title	Raman scattering in crystals with order-disorder type phase transition	uk_UA
dc.title.alternative	Раманівське розсіяння у кристалах з фазовими переходами типу лад-безлад	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA