Electric properties of the interface quantum dot — matrix

dc.contributor.author	Peleshchak, R.M.
dc.contributor.author	Bachynsky, I.Ya.
dc.date.accessioned	2017-06-10T16:35:53Z
dc.date.available	2017-06-10T16:35:53Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Electric properties of the interface quantum dot — matrix / R.M. Peleshchak, I.Ya. Bachynsky // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 215-223. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1607-324X
dc.identifier.other	PACS: 68.65.Hb, 73.21.La, 73.63.Kv
dc.identifier.other	DOI:10.5488/CMP.12.2.215
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119989
dc.description.abstract	A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation model. It is shown that at the strained border between a quantum dot and matrix there is a double electric layer, that is n⁺ - n junction.	uk_UA
dc.description.abstract	У межах моделi самоузгодженого електрон-деформацiйного зв’язку, теоретично дослiджено розподiл потенцiалу та напруженостi електричного поля в напруженiй наногетеросистемi InAs/GaAs з квантовими точкам InAs. Показано, що на напруженiй межi квантова точка – матриця виникає подвiйний електричний шар, тобто n⁺ - n перехiд.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики конденсованих систем НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Condensed Matter Physics
dc.title	Electric properties of the interface quantum dot — matrix	uk_UA
dc.title.alternative	Електричнi властивостi межi подiлу квантова точка – матриця	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA