Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

The increase of crystal growing rate without damaging the smoothness of interface border

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Kanishchev, V.N.
dc.date.accessioned 2017-06-10T11:08:09Z
dc.date.available 2017-06-10T11:08:09Z
dc.date.issued 2013
dc.identifier.citation The increase of crystal growing rate without damaging the smoothness of interface border / V.N. Kanishchev // Functional Materials. — 2013. — Т. 20, № 1. — С. 123-126. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1027-5495
dc.identifier.other DOI: dx.doi.org/10.15407/fm20.01.123
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119910
dc.description.abstract This paper provides literature data on non-stationary crystallization of binary melt, making it possible to put forward a hypothesis about a fluctuation mechanism of the structure transitions on the interface surface. Another argument for this hypothesis is the authors' observation results of the front crystallization at growing a sapphire crystal by horizontal directed crystallization. It has been suggested that it will be possible to grow crystals with a smooth interface border faster at a variable rate of crystallization rather than at a constant one. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Functional Materials
dc.subject Technology uk_UA
dc.title The increase of crystal growing rate without damaging the smoothness of interface border uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис