Электротранспорт и устойчивость кислородной подсистемы монокристаллов YBa₂Cu₃O₇₋δ при длительной выдержке в воздухe

Abstract

Исследована проводимость в базисной ab-плоскости оптимально допированных монокристаллов YBa₂Cu₃O₇–δ до и после длительной выдержки в воздухе. Показано, что длительная выдержка приводит к возрастанию числа эффективных центров рассеяния нормальных носителей заряда. Избыточная проводимость исследованных образцов в широком интервале температур является экспоненциальной функцией температуры, а вблизи критической температуры Тc удовлетворительно описывается моделью Асламазова–Ларкина. При этом длительная выдержка способствует значительному расширению температурного интервала реализации псевдощелевого состояния и существенному сужению температурного интервала линейной зависимости ρab(T).

Досліджено провідність у базисній ab-площині оптимально допованих монокристалів YBa₂Cu₃O₇–δ до та після тривалої витримки у повітрі. Показано, що тривала витримка призводить до зростання числа ефективних центрів розсіяння нормальних носіїв заряду. Надмірна провідність досліджених зразків в широкому інтервалі температур є експоненціальною функцією температури, а поблизу критичної температури Тc задовільно описується моделлю Асламазова–Ларкіна. При цьому тривала витримка сприяє значному розширенню температурного інтервалу реалізації псевдощілинного стану та істотному звуженню температурного інтервалу лінійної залежності ρab(T).

The conducting properties in the basal ab-plane of the optimally oxygen doped YBa₂Cu₃O₇–δ single crystals are investigated before and after a prolonged exposure to the air. The prolonged exposure causes the increase of the number of the effective scattering centers of the normal carriers. The excess conductivity of the samples studied in a wide temperature range is an exponential function of temperature, and near the critical point Tc it can be satisfactorily described by the Aslamazov–Larkin theoretical model. It is found that the prolonged exposure results in a considerable extension of the temperature range for pseudogap state realization, thus narrowing the linear section of the dependence ρab(Т).