Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Дмитриев, В.М.
dc.contributor.author Пренцлау, Н.Н.
dc.contributor.author Баумер, В.Н.
dc.contributor.author Гальцов, Н.Н.
dc.contributor.author Ищенко, Л.А.
dc.contributor.author Прохватилов, А.И.
dc.contributor.author Стржемечный, М.А.
dc.contributor.author Терехов, А.В.
dc.contributor.author Быков, А.И.
dc.contributor.author Ляшенко, В.И.
dc.contributor.author Падерно, Ю.Б.
dc.contributor.author Падерно, В.Н.
dc.date.accessioned 2017-06-07T07:12:04Z
dc.date.available 2017-06-07T07:12:04Z
dc.date.issued 2004
dc.identifier.citation Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К / В.М. Дмитриев, Н.Н. Пренцлау, В.Н. Баумер, Н.Н. Гальцов, Л.А. Ищенко, А.И. Прохватилов, М.А. Стржемечный, А.В. Терехов, А.И. Быков, В.И. Ляшенко, Ю.Б. Падерно, В.Н. Падерно // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 385-394. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 0132-6414
dc.identifier.other PACS: 74.70.Ad, 74.25.Fy, 74.25.Nf
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119506
dc.description.abstract В интервале температур 5–300 К определены структура и удельное электросопротивление поликристаллического MgB₂. В этом же интервале температур исследован его импеданс для частот 9–110 МГц. Показано, что во всем температурном интервале тип решетки и симметрия сверхпроводящей фазы MgB₂ остаются неизменными. В области температуры сверхпроводящего перехода Tc = 39,5 К наблюдается структурная неустойчивость, которая сопровождается разбросом измеряемых параметров решетки. Сделан вывод о существенно анизотропном характере деформации кристаллов при изменении температуры. При измерениях температурной и частотной зависимостей поверхностного сопротивления Rs(T,f) в сверхпроводящем состоянии обнаружен переход от пиппардовского нелокального предела при Т << Тc к лондоновскому локальному пределу вблизи Тc. При Т/Тc < 0,76 величина Rs (Т) хорошо описывается экспоненциальной зависимостью exp (–∆(Т)/kТ) в соответствии с теорией БКШ. uk_UA
dc.description.abstract В інтервалі температур 5–300 К визначено структуру та питомий опір полікристалічного MgB₂. В цьому ж інтервалі темпуратур досліджено його імпеданс для частот 9–110 МГц. Показано, що у всьому температурному інтервалі тип гратки та симетрія надпровідної фази MgB₂ залишаються незмінними. В зоні температури надпровідного переходу Тс = 39,5 К спостер ігається структурна нестійкість, яка супроводжується розкиданням вимірюванних параметр ів гратки. Зроблено висновок про суттєво анізотропний характер деформації кристалів при зміні температури. При вимірюванні температурної та частотної залежностей поверхневого опору Rs(T,f) в надпровідному стані виявлено перехід від піппардівської нелокальної межі при Т << Тc до лондонівської локальної межі поблизу Тс. При T/Tc < 0,76 величина Rs(T) добре описується експоненційною залежністю exp (–∆(T)/kT) згідно з теорією БКШ. uk_UA
dc.description.abstract The structure and electrical resistivity of polycrystalline MgB₂ are investigated in the interval 5–300 K. Its impedance is investigated in the same temperature range in the frequency region 9–110 MHz. It is shown that the lattice type and the superconducting-phase symmetry of MgB₂ are invariant in the whole temperature interval. In the region of superconducting transition temperature Tc = 39.5 K, a structural instability is observed, which is accompanied by a scatter in the lattice parameters measured. It is suggested that the crystal deformation with varying temperature is significantly anisotropic. The measurements of the temperature and frequency dependences of the surface resistance Rs(T,f) in the superconducting state have revealed a transition from the Pippard nonlocal limit at T << Tc to a London local one near Tc. At T/Tc < 0.76, Rs(T) is well described by the exponential dependence exp (–∆(T)/kT) in accordance with the BCS theory. uk_UA
dc.description.sponsorship Авторы благодарны Ю.Г. Найдюку за полезные обсуждения и замечания. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физика низких температур
dc.subject Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная uk_UA
dc.title Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К uk_UA
dc.title.alternative Structural and high-frequency resistive characteristics of MgB₂ in the range 0–110 MHz at 5–300 K uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис