Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа
ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом
образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную
структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации дырок от радиуса кластеров атомов
Te, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными. В образцах, хранившихся в
течение некоторого времени, обнаружено изменение формы и монотонное смещение полосы фотолюминесценции
в коротковолновую сторону. Показано, что причина смещения связана с изменением
внутренней структуры смешанных слоев со временем и образованием локальных состояний,
наведенных изоэлектронными примесями (атомами Te).
Проаналізовано оптичні спектри напружених надграток другого типу ZnSe/ZnTe, як свіжовирощених,
так і тих, що зберігалися на протязі деякого проміжку часу, з урахуванням утворення
на їх гетеромежах змішаних шарів ZnSe1–xTex, які мають кластерну структуру. Розраховано
залежність енергії локалізації дірок від радіуса кластерів атомів Te, яка добре погоджується з
експериментальними даними. В зразках, які зберігалися на протязі деякого часу, виявлено зміну
форми і монотонний зсув смуги фотолюмінесцеції в короткохвильовий бік. Показано, що причина
цього зсуву пов’язана зі зміною внутрішньої структури змішаних шарів з часом і утворенням
локальних станів, наведених ізоелектронними домішками (атомами Te).
The optical spectra of type-II strained
ZnSe/ZnTe superlattices, both fresh-prepared and
kept for some time, are analyzed with taking into
account the formation of mixed ZnSe1-xTex layers,
at their interfaces which have a cluster structure.
The dependence of the hole localization energy
on the radius of Te atom clusters is
calculated, which is in good agreement with the
experiment. The samples kept for some time display
a change of the shape and a monotonous shift
of the luminescence band to a high-energy edge. It
is shown that the shift is caused by the change in
the internal structure of the mixed layers with
time and the formation of local exciton states induced
by isoelectronic Te atoms.
