Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 3
→
Переглянути статтю

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon

Groza, A.A. ; Venger, E.F. ; Varnina, V.I. ; Holiney, R.Yu. ; Litovchenko, P.G. ; Matveeva, L.A. ; Litovchenko, A.P. ; Sugakov, V.I. ; Shmatko, G.G.

Інший ID: PACS: 61.82.F

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119263

Посилання: Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon / A.A. Groza, E.F. Venger, V.I. Varnina, R.Yu. Holiney, P.G. Litovchenko, L.A. Matveeva, A.P. Litovchenko, M.I. Starchik, V.I. Sugakov, G.G. Shmatko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 152-155. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Дата: 2001

Завантажень: 368

Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon

Анотація:

Processes of structure defects formation, which accompanied by oxygen precipitation after a neutron irradiation (10¹⁵- 10¹⁹ n/cm²) and high-temperature treatment (800 - 1000°С) in CZ silicon, were investigated by the transmission electron microscopy. Influence of the structure defects on electrooptical properties of silicon was revealed.

Показати повний запис статті