Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Ananenko, A. |
|
dc.contributor.author |
Fedorov, A. |
|
dc.contributor.author |
Lebedinsky, A. |
|
dc.contributor.author |
Mateychenko, P. |
|
dc.contributor.author |
Tarasov, V. |
|
dc.contributor.author |
Vidaj, Yu. |
|
dc.date.accessioned |
2017-06-04T16:25:11Z |
|
dc.date.available |
2017-06-04T16:25:11Z |
|
dc.date.issued |
2004 |
|
dc.identifier.citation |
Structural dependence of CsI(Tl) film scintillation properties / A. Ananenko, A. Fedorov, A. Lebedinsky, P. Mateychenko, V. Tarasov, Yu. Vidaj // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 297-300. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1560-8034 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 68.55.Jk, 29.40.Mc |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119128 |
|
dc.description.abstract |
Scintillating CsI(Tl) films were obtained by vacuum deposition on single crystalline LiF substrates and non-orienting glass substrates. Their structure and morphology were examined by X-ray diffraction and scanning electron microscopy. Scintillation properties of films dependent on their structure are discussed. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|
dc.title |
Structural dependence of CsI(Tl) film scintillation properties |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті