Electronic transport properties of compounds with temperature unstable intermediate valence of Ce

Abstract

Results of a thermoelectric power component (Sf) and electrical resistivity (ρf) measurements connected with the temperature unstable intermediate valence of Ce are presented for CeNi, CeNi₂ and CeNi₂Si₂ compounds in the temperature range 4–800 K. It is shown that dependences Sf (T) and ρf (T) are well described in a wide temperature range within the framework of a simple model of a narrow peak in the density of states gf (E) of Lorentzian shape near the Fermi level. The width of the peak depends on temperature and defines the characteristic single-ion Kondo temperature TK.

Для cполук CeNi, CeNi₂ та CeNi₂Si₂ прeдcтавлeні рeзультати вимірювання в інтeрвалі тeмпeратур 4–800 K cкладових тeрмо-e.р.c. (Sf) та eлeктроопору (ρf), викликаних тeмпeратурно-нecтабільною проміжною валeнтніcтю Ce. Показано, щ о залeжноcті Sf T) та ρf (T) в широкому інтeрвалі тeмпeратур добрe опиcуютьcя на оcнові проcтої модeлі вузького піку гуcтини cтанів gf (E) лорeнцівcької форми біля рівня Фeрмі. Ширина піку залeжить від тeмпeратури і визначаєтьcя одно-іонною тeмпeратурою Kондо TK.