X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 4
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Mustafaeva, S.N.
dc.contributor.author	Asadov, M.M.
dc.contributor.author	Guseinov, D.T.
dc.date.accessioned	2017-05-31T05:23:35Z
dc.date.available	2017-05-31T05:23:35Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals / S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, D.T. Guseinov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 358-359. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1560-8034
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118727
dc.description.abstract	Comparative analysis of the X-ray dosimetric characteristics of CdGa₂S₄ and CdGa₂S₄<Cu> single crystals demonstrates that after copper-doping the persistence of the crystal characteristics completely disappears. The current-dose characteristics Ir ~ E tend to linearity (α = 1) at low dose rates of X-rays. At high dose rates, α tends to 0.5, which testifies to the mechanism of quadratic recombination of charge carriers generated by X-rays in CdGa₂S₄<Cu>.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title	X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	PACS 71.20.Nr, 72.15.Cz, 72.20.Jv, 72.80.Jc