Показати простий запис статті

dc.contributor.author Dan’ko, V.A.
dc.contributor.author Indutnyi, I.Z.
dc.contributor.author Myn’ko, V.I.
dc.contributor.author Shepeliavyi, P.E.
dc.contributor.author Lukyanyuk, M.V.
dc.contributor.author Litvin, O.S.
dc.date.accessioned 2017-05-31T05:19:50Z
dc.date.available 2017-05-31T05:19:50Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Photostimulated etching of germanium chalcogenide films / V.A. Dan’ko, I.Z. Indutnyi, V.I. Myn’ko, P.E. Shepeliavyi, M.V. Lukyanyuk, O.S. Litvin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 345-350. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 81.65.Cf
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118724
dc.description.abstract The new effect of photostimulated dissolution of as-evaporated and annealed Ge-based chalcogenide glass (ChG) films was investigated in detail. The etching rate increases with the illumination intensity, and its spectral dependence is correlated with absorption in the film at the absorption edge. A possible mechanism for the photoinduced etching of ChG films has been discussed. The high-frequency diffraction gratings on germanium ChG – more environmentally acceptable compounds than traditionally used arsenic chalcogenides – were recorded using the method of interference immersion photolithography with photoinduced etching. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Photostimulated etching of germanium chalcogenide films uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис