Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

A model for non-thermal action of microwave radiation on oxide film/semiconductor structures

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Okhrimenko, O.B.
dc.date.accessioned 2017-05-30T14:27:20Z
dc.date.available 2017-05-30T14:27:20Z
dc.date.issued 2014
dc.identifier.citation A model for non-thermal action of microwave radiation on oxide film/semiconductor structures / O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 227-231. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 78.70.Fy, 78.70.Gq
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118513
dc.description.abstract A model is considered that explains mechanism of non-thermal action of microwave radiation on the thin SiO₂ (ТiO₂, Er₂O₃, Gd₂O₃) film/SiC and SiO₂/GaAs structures. It assumes that the centers of electron-hole recombination are redistributed because of resonance interaction between dislocations of certain length and microwave radiation. As a result, additional bands appear in photoluminescence (PL) spectra of the oxide film/SiC structures or intensities of some bands are redistributed in the PL spectra of the SiO₂/GaAs structure, as well as optical density of the oxide film/SiC structures changes. uk_UA
dc.description.sponsorship The author is indebted to Prof. A.M. Svetlichnyi for his interest in this work and valuable discussions uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title A model for non-thermal action of microwave radiation on oxide film/semiconductor structures uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис