Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 2
→
Переглянути статтю

Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals

Paiuk, A.P. ; Stronski, A.V. ; Vuichyk, N.V. ; Gubanova, A.A. ; Krys’kov, Ts.A. ; Oleksenko, P.F.

Інший ID: PACS 78.40.Ha

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118287

Посилання: Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals / A.P. Paiuk, A.V. Stronski, N.V. Vuichyk, A.A. Gubanova, Ts.A. Krys’kov, P.F. Oleksenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 152-156. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Дата: 2012

Завантажень: 434

Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals

Анотація:

Room temperature IR impurity absorption spectra in 1 4000 7000 cm ( 4.1 - 25um ) region for chalcogenide glasses of As₂S₃ doped with chromium (0.5, 1 wt.%) and manganese (0.1, 1, 2, 5 wt.%) have been studied. The effects of chromium and manganese impurities on the transmission spectra are discussed.

Показати повний запис статті