Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Korotchenkov, O.O.
dc.contributor.author Steblenko, L.P.
dc.contributor.author Podolyan, A.O.
dc.contributor.author Kalinichenko, D.V.
dc.contributor.author Tesel’ko, P.O.
dc.contributor.author Kravchenko, V.M.
dc.contributor.author Tkach, N.V.
dc.date.accessioned 2017-05-26T06:03:50Z
dc.date.available 2017-05-26T06:03:50Z
dc.date.issued 2013
dc.identifier.citation Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals / O.O. Korotchenkov, L.P. Steblenko, A.O. Podolyan, D.V. Kalinichenko, P.O. Tesel’ko, V.M. Kravchenko, N.V. Tkach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 1. — С. 72-75. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 61.72.-y, 68.43.-h, 72.40.+w, 76.60.-k, 81.40.Rs
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117665
dc.description.abstract The effect of static magnetic field (B = 0.17 T) on composition of defects and lifetime of charge carriers in solar silicon crystals has been investigated. Studied in this work was the character of changes in electrical characteristic of solar silicon. These changes are dependent on the time elapsed after the magnetic treatment. The results have been discussed in terms of spin-dependent processes in the subsystem of structural defects. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис