Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов

Abstract

Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм, зависящей от вида и фазового состояния базисного металла. Увеличение толщины покрытия до dcov>d⁰cov не приводит к дальнейшему изменению ρ. Наблюдаемые изменения приписываются перемещению части электронов из аморфной сурьмы в Bi и V, а из аморфных и кристаллических пленок Yb — в аморфную сурьму с образованием контактной разности потенциалов между слоями металла и полупроводника. При этом происходит изменение плотности состояний электронов проводимости металла, ответственное за изменение ρ.

Досліджено вплив аморфного Sb-покриття на питомий опір аморфних і кристалічних плівок V, Yb та Bi. Для обох фазових станів V та Bi значення зменшується, для Yb — збільшується. Вплив покриття на обмежується його товщиною d⁰cov=10–60 нм, залежною від виду й фазового стану базисного металу. Збільшення товщини покриття до dcov>d⁰cov не призводить до подальшої зміни . Спостережен і зміни приписуються переміщенню частини електронів з аморфної сурми в Bi і V, а з аморфних та кристалічних плівок Yb — в аморфну сурму з утворенням контактної різниці потенц іалів між шарами металу й напівпровідника. При цьому відбувається зміна щільності станів електрон ів провідності металу, яка відповідальна за зміну ρ.

The influence of an amorphous Sb-coating on resistivity (ρ) of amorphous and crystalline films of V, Yb and Bi is investigated. For both phase conditions of V and Bi the values decrease, while for Yb they increase. The influence of the coating on ρ is limited by its thickness dcov d⁰cov=10–60 nm, depending on kind and phase condition of the base metal. An increase in the coating thickness up to dcov>d⁰cov does not result in a further change ρ. The observed changes in ρ are attributed to the transfer of a part of the electrons from amorphous antimony to Bi and V, and from amorphous and crystalline films of Yb to amorphous antimony. In such cases a contact potential between layers of a metal and the semiconductor is formed, and the density of states of metal conduction electrons is changed implying for change of ρ.