Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

Abstract

При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются связанные электрон-риплонные резонансы (1–20 МГц), а также зависимость проводимости электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает динамический фазовый переход в системе.

При температурі T=80 мК досліджено електронний кристал з поверхневою густиною електронів ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхнею надплинного рідкого гелію в залежності від амплитуди змінного електричного поля (1–30 мВ/см) в площині шару. Досліджено частотну залежність відгуку експериментально ї комірки на змінну напругу при частотах, коли збуджуються зв’язані електрон-риплонні резонанси (1–20 МГц), а також залежність провідності електронного шару від ведучого поля при двох фіксованих частотах 4 та 5 МГц. Знайдено складну немонотонну залежність провідності кристалу від ведучого поля, яка, очевидно, відзеркалює динамічний фазовий перехід в системі.

At temperature T=80K the electron crystal surface electron density ns=6,2*10⁸ cm⁻² over superfluid liquid helium is studied depending on ac electric field (1–30 ìÂ/cm) in the layer plane. The response of the experimental cell to ac voltage at frequencies (1–20 MHz), where the coupled electron- ripplon resonances are excited, is studied. Besides, the dependence of electron layer conductivity on driving field is measured at two fixed frequencies 4 and 5 MHz. It is found that the conductivity depends on driving field in complicated nonmonotonic way and seems to reflect the dynamic phase transition in the system.