Спектроскопия бозонных возбуждений в наноразмерной окрестности интерфейса металл-легированный манганит

Abstract

Представлены результаты туннельных измерений спектров квазичастичных возбуждений бозетипа в наноразмерной области на поверхности легированных манганитов, которая непосредственно примыкает к интерфейсу металл-оксид. Сравнение полученных результатов с известными литературными данными для соответствующих объемных образцов указывает на то, что свойства сложных оксидов марганца вблизи интерфейса не отличаются существенным образом от таковых в объеме материала. Обнаружено, что при воздействии импульса высокого напряжения происходит сглаживание спектров и рост интенсивности низкочастотных возбуждений как результат структурного разупорядочения образца в окрестности интерфейса.

Представлено результати тунельних вимірів спектрів квазічастинкових збуджень бозетипу у нанорозмірній області на поверхні легованих манганітів, що безпосередньо примикає до інтерфейсу метал–оксид. Порівняння отриманих результатів з відомими літературними даними для відповідних об’ємних зразків указує на те, що властивості складних оксидів марганцю поблизу інтерфейсу не відрізняються істотно від таких в об’ємі матеріалу. Виявлено, що при впливі імпульсу високої напруги відбувається згладжування спектрів і ріст інтенсивності низькочастотних порушень як результат структурного розупорядкування зразка поблизу інтерфейсу.

The tunneling experimental data on Bose-type quasi-particle excitation spectra in the nanoscale region at the surface of doped manganites, which is immediately adjacent to the metal — oxide interface, are presented. Comparison of these results with the known literature data for corresponding bulk samples indicates that the properties of complex oxides of manganese near the interface do not differ essentially from those in the bulk. It is found that a high-voltage impulse results in a smoothing of the spectra and a growth of the intensity of lowfrequency excitations due to the structural disorder of the sample in the nearest vicinity of the interface.