Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Лашкарев, Г.В.
dc.contributor.author Сичковский, В.И.
dc.contributor.author Радченко, М.В.
dc.contributor.author Карпина, В.А.
dc.contributor.author Буторин, П.Е.
dc.contributor.author Дмитриева, А.И.
dc.contributor.author Лазоренко, В.И.
dc.contributor.author Слинько, Е.И.
dc.contributor.author Литвин, П.Н.
dc.contributor.author Якела, Р.
dc.contributor.author Кнофф, В.
dc.contributor.author Стори, Т.
dc.contributor.author Алешкевич, П.
dc.date.accessioned 2017-05-16T14:48:16Z
dc.date.available 2017-05-16T14:48:16Z
dc.date.issued 2009
dc.identifier.citation Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI / Г.В. Лашкарев, В.И. Сичковский, M.В. Радченко, В.А. Карпина, П.Е. Буторин, А.И. Дмитриев, В.И. Лазоренко, Е.И. Слинько, П.Н. Литвин, Р. Якела, В. Кнофф, Т. Стори, П. Алешкевич // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 81-91. — Бібліогр.: 47 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.other PACS: 72.20.My, 75.50.Pp, 68.37.Rt
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116818
dc.description.abstract Исследованы химический и фазовый состав, магнитная восприимчивость, SIMS, данные магнитной силовой микроскопии и нейтронной дифракции монокристаллов Ge1–x–ySnxMnyTe, InSe<Mn> и ZnO<Co,Mn> в широком диапазоне температур и магнитных полей. Для Ge1–x–ySnxMnyTe установлено существование ферромагнитного (ФМ) упорядочения с температурой Кюри ТС ~ 50 К, вызванное непрямым обменным взаимодействием между ионами Mn через вырожденный газ дырок. Показано, что ФМ области кристалла при Т < 50 К образуют фазу спинового стекла. В InSe<Mn> наблюдались петли гистерезиса магнитного момента М(Н) вплоть до 350 К. Они свидетельствуют о существовании ферромагнитного упорядочения, связанного, по-видимому, с ФМ кластерами, в которых предполагается суперобмен ионов Mn через анионы (Se), и c непрямым взаимодействием через 2D-электронный газ. Обнаружено удвоение периода магнитной подрешетки включений второй фазы -MnSe при Т < 70 К, а размещение ее в слоистой структуре матрицы InSe<Mn> имеет регулярный характер, образуя самоорганизованную сверхрешетку ФМ/АФМ. Температурная зависимость М в ZnO<Co,Mn> подчиняется закону Кюри. При превышении предела растворимости Co в ZnO наблюдались петли гистерезиса как следствие проявления второй ферромагнитной фазы. Для образцов ZnO<Mn>, а также в некоторых образцах ZnO<Co> при содержании Co в пределах растворимости имело место АФМ взаимодействие. uk_UA
dc.description.abstract Досліджено хімічний і фазовий склад, магнітну сприйнятливість, SІMS, дані магнітної силової мікроскопії й нейтронної дифракції монокристалiв Ge1–x–ySnxMnyTe, ІnSe<Mn> і Zn<Co,Mn> у широкому діапазоні температур і магнітних полів. Для Ge1–x–ySnxMnyTe встановленo існування феромагнітного (ФМ) упорядкування з температурою Кюрі ТС ~ 50 К, що викликано непрямою обмінною взаємодією між іонами Mn через вироджений газ дірок. Показано, що ФМ області кристалу при Т < 50 К утворюють фазу спінового скла. В ІnSe<Mn> спостерігалися петлі гістерезису магнітного моменту М(Н) аж до 350 К. Вони свідчать про існування феромагнітного впорядкування, пов'язаного, очевидно, із ФМ кластерами, у яких передбачається суперобмін іонів Mn через аніони (Se), і з непрямою взаємодією через 2D-електронний газ. Виявлено подвоєння періоду магнітної підгратки включень другої фази -MnSe при Т < 70 К, а розміщення її в шаруватій структурі матриці ІnSe<Mn> має регулярний характер, що утворює самоорганізовану надгратку ФМ/АФМ. Температурна залежність М у ZnО<Co,Mn> підкоряється закону Кюрі. При перевищенні межі розчинності Co в ZnО спостерігалися петлі гістерезису як наслідок прояву другої феромагнітної фази. Для зразків ZnО<Mn>, а також у деяких зразках ZnО<Co> при вмісті Co у межах розчинності мала місце АФМ взаємодія. uk_UA
dc.description.abstract Phase and chemical compositions, magnetic susceptibility, SIMS, magnetic force microscopy and neutron diffractometry of Ge1–x–ySnxMnyTe, InSe<Mn> and ZnO<Co,Mn> single crystals were investigated in a wide range of temperatures and magnetic fields. It is found that in Ge1–x–ySnxMnyTe there exists a ferromagnetic ordering with Curie temperature TC ~ 50 K, caused by indirect exchange interaction between the Mn ions via degenerate hole gas. The FM regions of the crystal at T < 50 K are shown to be in a spin glass state. In InSe<Mn> hysteresis loops of magnetic moment M(H) are observed up to 350 K, testifying that the FM ordering connected with FM clusters does exist in which a superexchange between Mn ions via anions (Se) and with indirect interaction via 2D electron gas is supposed to occur. The magnetic sublattice period for the α-MnSe (antiferromagnetic) second phase inclusions is found to be doubled at T < 70 K. Its disposition in the layered structure of the InSe matrix is of regular character, resulting in a self-assembled superlattice FM/AFM. The temperature dependence of magnetic moment in ZnO<Co,Mn> follows the Curie law. With increasing the Co concentration in ZnO higher than the solubility limit, hysteresis loops are observed as a result of the second FM phase occurence. In the case of the doping element within the solubility limits, ZnO<Mn> and some ZnO<Co> samples display antiferromagnetic behavior. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физика низких температур
dc.subject XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников uk_UA
dc.title Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI uk_UA
dc.title.alternative Diluted magnetic semiconductors based on II–VI, III–VI and IV–VI compounds uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис