Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а ...