Кінетика диспергування при відпалі у вакуумі ніобієвих та гафнієвих наноплівок, нанесених на неоксидні матеріали

Abstract

Досліджено кінетику диспергування ніобієвих та гафнієвих наноплівок завтовшки 100 нм, які нанесені на зразки з кераміки на основі Si₃N₄ і скловуглецю та відпалені у вакуумі при температурах 1200—1400 °С впродовж різних часових проміжків (2—20 хв). Встановлено, що інтенсивність диспергування сполучень плівка—неметал в однакових режимах відпалу різна. В наноплівках на кераміці на основі Si₃N₄ певні структурні зміни спостерігаються вже після відпалу при 1200 °С, а при температурі 1300 °С ці плівки вже значно диспергують, в той час як плівки на скловуглеці зазнають зміни лише після відпалу при 1400 °С.

Исследована кинетика диспергирования ниобиевых и гафниевых нанопленок толщиной 100 нм, нанесенных на поверхность керамики на основе Si₃N₄ и стеклоутлерода и отожженных в вакууме при температурах 1200—1400 °С в течение различных промежутков времени (2—20 мин). Установлено, что интенсивность диспергирования соединений пленка—неметалл при одинаковых режимах отжига разная. В нанопленках на керамике на основе Si₃N₄ определенные структурные изменения наблюдаются уже после отжига при 1200 °С, а при температуре 1300 °С эти пленки уже значительно диспергируют, в то время как пленки на стеклоуглероде изменяются только после отжига при 1400 °С.

Dispersion kinetics which is proceeds in niobium and hafnium nanofilms by thickness of 100 nm deposited onto oxygen-free inorganic materials as a result of them annealing in vacuum at temperatures 1200—1400 °C during various time (2—20 min) is investigated. It is established, that dispergation intensity of film—nonmetal joints at identical modes annealing is different. In nanofilms which were deposited onto ceramics on basis Si₃N₄ the certain structural changes are observed already after annealing at 1200 °C, and at temperature 1300 °C these films already are considerably dispergated while the films deposited onto carbon glass are changed only after annealing at 1400 °C.