Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС,
которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно ...