Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Михайловська, К.В.; Шепелявий, П.Є.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних ...