SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, том 1
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, № 1
→
Переглянути статтю

SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures

Boutry-Forveille, A. ; Ballutaud, D. ; Nazarov, A.N.

Інші назви: SIMS дослідження розподілу дейтерія і температурної стабільності в ZMR SOI структурах
SIMS Исследования распределения дейтерия и температурная стабильность в ZMR SOI структурах

Інший ID: PACS 85.40.

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114678

Посилання: SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 108-111. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Підтримка: The authors would like to thank Professor E. I. Givargizov and Dr. A. B. Limanov (Institute of Crystallography RAS, Moscow, Russia) for useful discussions and for the samples provided. This work was performed in the framework of CNRS project N5736. One of the authors (A.N.N.) appreciates partial financial support provided by CRDF (CRDF project UP2-291).

Дата: 1998

Завантажень: 1124

SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures

Анотація:

SIMS measurements and thermal effusion experiments were performed to study the distribution and thermal stability of deuterium in SOI structures fabricated by zone melting recrystallization technique. It was found that the disordered structure at the silicon-buried oxide interfaces is directly related to the distribution of deuterium in the SOI system. The diffusion coefficient of deuterium in the top silicon layer at 250°C was determined. For the first time, the high-temperature (up to 600°C) stability of deuterium in the buried oxide was demonstrated, without any diffision into silicon layers.

У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв.язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250°С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600°С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів.

В работе методами вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и термостимулированной десорбции дейтерия изучались распределение дейтерия и его термическая стабильность в структурах кремния-на-изоляторе (КНИ), изготовленных с помощью технологии зонной лазерной рекристаллизации поликремния. Показано существование прямой связи между разупорядочением структуры на границах кремний-внутренний окисел и распределением дейтерия в КНИ системе. Определен коэффициент диффузии дейтерия в рекристаллизованном слое кремния при 250°С. Впервые продемонстрирована высокотемпературная стабильность дейтерия (до 600°С включительно) во внутреннем окисле КНИ структуры при отсутствии диффузии дейтерия в кремниевые слои.

Показати повний запис статті