Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, том 1
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, № 1
→
Переглянути статтю

Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime

Gribnikov, Z.S. ; Gordion, I.M. ; Mitin, V.V.

Інші назви: Хвилі переключення в асиметричних тиристоро подібних структурах в режимі виключення розімкнутого затвору
Волны переключения в ассиметричных тиристоро подобных структурах в режиме выключения разомкнутого затвора

Інший ID: PACS 72.20; 73.61.G; 85.30.R

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114676

Посилання: Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime / Z.S. Gribnikov, I.M. Gordion, V.V. Mitin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 90-100. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Підтримка: Рассмотрена стационарная волна переключения в конечной тиристоро подобной структруре (ТПС). Эта волна инициирована контролирующим током затвора I g, который отличается от определенного равновесного тока I g0(j), обеспечивающего положение нейтрального равновесия (трансляционно инвариантного) переходного слоя между запертой и открытой областями для данной плотности тока j в открытой области. Выведена зависимость скорости волны v(I g, j) от тока затвора I g и плотности тока j. Мы имеем дело со структурой, в которой проводимость запертой базы I много выше, чем проводимость незапертой базы II. Рассматриваемый уровень инжекции является низким для базы I и высоким для базы II. Показано, что скорость волны переключения (т.е. скорость переходного процесса в ТПС) определяется главным образом параметрами базы II. Продемонстрировано также, что высокая скорость срабатывания может быть достигнута в структуре с умеренно длинной базой II (длина базы должна превышать 1-2 биполярных диффузионных длины) и малым временем жизни носителей в этой базе.

Дата: 1998

Завантажень: 317

Switching waves in asymmetric thyristor-like structures for incomplete gate turn off regime

Анотація:

A stationary wave of switching is considered in an infinite thyristor-like structure (TLS).This wave is initiated by the controlling gate current which differs from a certain equilibrium current Jg0(j) providing a neutrally equilibrium (translationally invariant) position of the transition layer between a blocked (OFF-) region and an open (ON-) region for a given current density j in the ON-region. The dependence of the wave velocity v(Jg, j) on the gate current Jg and the current density j is derived.We deal with structures in which the conductivity of gated base I is much higher than the conductivity of ungated base II.The injection level is considered low for base I and high for base II. It is shown that the velocity of the switching wave (i.e. the speed of transient processes in TLS) is determined mainly by parameters of base II. It is also demonstrated that a high speed of operation can be reached in structures with a moderately long base II (the length of the base should exceed 1-2 bipolar diffusion lengths) and a small lifetime of carriers in this base.

This work was supported by the National Science Foundation of the USA. One of us (Z. S. Gribnikov) thanks the Ukrainian Foundation of Fundamental Researches for a partial support. We also thankful to the editorial board of the «Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics» for the invitation to submit our paper to the first issue of this new journal. Розглянуто стаціонарну хвилю переключення в кінцевій тиристоро подібній структрурі (ТПС). Ця хвиля ініційована контролюючим струмом затвору I g, який відрізняється від певного рівноважного струму I g0(j), який забезпечує положення нейтральної рівноваги (трансляційно інваріантної) перехідного шару між запертою та відкритою областями для даної густини струму j у відкритій області. Виведено залежність швидкості хвилі v(I g, j) від струму

Показати повний запис статті