Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, том 1
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1998, № 1
→
Переглянути статтю

Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe

Інші назви: Сильний вплив магнітного поля на ширину лінії граничної люмінесценції в розбавлених магнітних вузькозонних напівпровідниках Hg₁₋xMnxTe
Сильное влияние магнитного поля на ширину линии краевой люминесценции в разбавленных магнитных узкозонных полупроводниках Hg₁₋xMnxTe

Інший ID: PACS 75.50.Pp, 78.20.Ls, 78.55.Et

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114666

Посилання: Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe / Yu.I. Mazur // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 33-40. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Підтримка: The author would like to acknowledge Prof. G. G. Tarasov and Dr. J. W. Tomm for a number of helpful and illuminating discussions, and Dr. O. A. Bodnaruk for supplying highquality Hg₁₋xMnxTe single crystals.

Дата: 1998

Завантажень: 451

Strong effect of magnetic field on the edge luminescence line width in diluted magnetic narrow-gap Hg₁₋xMnxTe

Анотація:

Peculiarities of photoluminescence in narrow-gap Hg₁₋xMnxTe (0.09 < x < 0.11) under variation of both magnetic field and temperature are studied. A strong resonance enhancement of the edge emission and a narrowing of the line width to less than 2.5 meV were detected. The photoluminescence behaviour observed can be well described by the model of a magnetically trapped exciton.

Досліджено особливості фотолюмінесценції у вузькозонних твердих розчинах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) у випадку комбінованого впливу магнітного поля та температури. Виявлено сильне резонансне підсилення крайової люмінесценції та звуження ширини її лінії до значень < 2,5 meV. Спостережувана поведінка фотолюмінесценції інтерпретується ,в рамках моделі магніто-захопленого екситона.

Исследованы особенности фотолюминесценции в узкозонных твердых растворах Hg₁₋XMnXTe (0,09 < x < 0,11) при комбинированном воздействии магнитного поля и температуры. Обнаружено сильное резонансное усиление краевой люминесценции и сужение ширины ее линии до значений < 2,5 meV. Наблюдаемое поведение фотолюминесценции интерпретируется в рамках модели магнито-захваченного экситона.

Показати повний запис статті