Исследование влияния неоднородностей на параметры электронного переноса и термостабильности в высокоомном кремнии n-типа

Abstract

На основании анализа параметров электронного переноса изучены процессы, происходящие в полупроводниковом кремнии при нагреве. Измерения магниточувствительности напряжения проводимости показали, что при температурах порядка 540 К во всех образцах присутствуют крупномасштабные неоднородности. Полученные данные коррелируют с известными представлениями о фазовых превращениях в кремнии БЗП и могут служить дополнительным подтверждением их реализации при нагреве.

На підставі аналізу параметрів електронного переносу вивчені процеси, які здійснюються в напівпровідниковому кремнії при нагріві. Виміри магніточутливості напруги провідності показали, що при температурах біля 540 К в усіх зразках присутні великомасштабні неоднорідності. Отримані дані корелюють з відомими уявленнями про фазові перетворення в кремнії БЗП та можуть служити додатковим підтвердженням їх реалізації при нагріві.

On the basis of the analysis of parameters of electronic carry the processes occurring in semi-conductor silicon at heating are investigated. The measurements magnetsensitivly of a tensionof conductivity have shown, at temperatures about 540K in all samples are present of large-scale heterogeneity. The received data correlate with known representations about phase transformations in silicon CZM and can serve additional acknowledgement (confirmation) of their realization at heating.