Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2007
→
Вопросы атомной науки и техники, 2007, № 4
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Точилин, Д.С.
dc.contributor.author	Лущин, С.П.
dc.contributor.author	Точилин, С.Д.
dc.date.accessioned	2017-01-06T16:15:32Z
dc.date.available	2017-01-06T16:15:32Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя / Д.С. Точилин, С.П. Лущин, С.Д. Точилин // Вопросы атомной науки и техники. — 2007. — № 4. — С. 152-154. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1562-6016
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/110873
dc.description.abstract	Временное развитие упругого рассеяния света изучалось в процессе формирования геттерирующего слоя на поверхности кремния и германия под действием импульсного лазерного излучения. Установлен линейный характер зависимости между интенсивностью рассеяния света поверхностью исследованных образцов и временем лазерной обработки.	uk_UA
dc.description.abstract	Тимчасовий розвиток пружного розсіювання світла вивчалося в процесі формування гетеруючого прошарка на поверхні кремнію та германію під дією імпульсного лазерного випромінювання. Установлено лінійний характер залежності між інтенсивністю розсіювання світла поверхнею досліджених зразків та часом лазерної обробки.	uk_UA
dc.description.abstract	The temporary development of elastic light scattering was studied in process formation of the gettering layer on a surface of silicon and germanium under action of pulse laser radiation. The linear character of dependence between intensity of light scattering by a surface of the investigated samples and time of laser processing was established.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Вопросы атомной науки и техники
dc.subject	Физика и технология конструкционных материалов	uk_UA
dc.title	Упругое рассеяние света поверхностью полупроводников при формировании нарушенного слоя	uk_UA
dc.title.alternative	Пружне розсіювання світла поверхнею напівпроводників при формуванні порушенного прошарку	uk_UA
dc.title.alternative	Elastic light scattering by the semiconductors surface processed by the laser radiation	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	661.68; 66.012.1; 535.361