Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells

Abstract

In the article, CuInSe₂ thin films obtained by sequential deposition of Cu and indium selenide starting layer with the further annealing of the two-layered composition in Se atmosphere were investigated by transmission electron microscopy (TEM). On the base of the obtained basic CuInSe₂ layers, the ZnSe buffer layers were grown. It was found that ZnSe layer of cubic modification grow epitaxialy on a surface of CuInSe₂.

Проведено електронно-мікроскопічне дослідження тонких плівок CuInSe₂, виготовлених засобом послідовного осадження у вакуумі селеніду індію й міді з наступним відпалом двошарової композиції в атмосфері селену. На основі отриманих плівок CuInSe₂, були вирощені буферні шари ZnSe. Встановлено, що шар ZnSe кубічної модифікації зростає епітаксійно на поверхні плівки CuInSe₂.

Проведено электронно-микроскопическое исследование тонких плёнок CuInSe₂, приготовленных методом последовательного осаждения в вакууме селенида индия и меди с последующим отжигом двухслойной композиции в атмосфере селена. На основе полученных плёнок CuInSe₂ были выращены буферные слои ZnSe. Установлено, что слой ZnSe кубической модификации растёт эпитаксиально на поверхности плёнки CuInSe₂.