Круковський, C.I.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мрихін, І.О.; Михащук, Ю.С.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, ...