The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base

Abstract

In this paper the mechanism of current’s transport in the structure Al-p-CdTe-Mo is studied, when the thickness of the base w ≤ 10 μm. The results of study of current-voltage characteristics of the structure Al-p-Cd-Te-Mo with different thicknesses of the base and the influence of the thickness of the base on the mechanism of current’s transport are given.

В работе исследуется механизм переноса тока в структуре Al-p-CdTe-Mo, когда толщина базы w ≤ 10 μm. Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик структуры Al-p-CdTe-Mo с разными толщинами базы и влияния толщины базы на механизм переноса тока.

У роботі досліджується механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo, коли товщина бази w ≤ 10 μm. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al-p-CdTe-Mo з різними товщинами бази та впливу товщини бази на механізм перенесення струму.