Особенности взаимодействия ускоренных инов С₆₀ с поверхностью ITO мишени

Abstract

В работе исследованы закономерности роста пленок и эрозии поверхности при облучении мишеней из оксида индия-олова (ITO, 90 % In₂O₃ + 10 % SnO₂) пучком ускоренных ионов С₆₀ с энергией в интервале 2,5–20 кэВ при температуре TS мишеней 373–673 K. Определена зависимость коэффициента распыления ITO от энергии бомбардирующих ионов. При энергии выше 3,75 кэВ TS = 373 K и происходит процесс травления поверхности мишени. Рост углеродных пленок на поверхности облучаемых мишеней из ITO наблюдается в интервале энергий ионов 2,5–3,75 кэВ. Обнаружена зависимость коэффициента распыления от температуры. При энергии ионов C₆₀ 5 кэВ до температуры 423 K происходит травление мишени, а выше температуры 448 K до 673 K рост пленки и уменьшение коэффициента распыления углеродной пленки с повышением температуры.

У роботі досліджено закономірності росту плівок і ерозії поверхні при опроміненні мішеней з оксиду індію-олова (ITO, 90 % In₂O₃ + 10 % SnO₂) пучком прискорених іонів С₆₀ з енергією в інтервалі 2,5–20 кэВ при температурі мішеней 373–673 K. Визначена залежність коефіцієнта розпилення ITO від енергії бомбардують іонів. При енергії вище 3,75 кэВ відбувається процес травлення поверхні мішені. Зростання вуглецевих плівок на поверхні опромінених мішеней з ITO спостерігається в інтервалі енергій іонів 2,5–3,75 кэВ. Виявлена залежність коефіцієнта розпилення від температури. При енергії іонів C₆₀ 5 кэВ до температури 423 K відбувається травлення мішені, а вище температури 448 K до 673 K зростання плівки і зменшення коефіцієнта розпилення вуглецевої плівки з підвищенням температури.

Behaviors of film growth and surface during irradiation of the indium tin oxide targets (ITO, 90 % In₂O₃ + 10 % SnO₂) by accelerated C₆₀ ion beam were investigated. The ion beam energy was in the range of 2.5–20 keV and target (substrate) temperature TS was in the range of 373–673 K. The effects of the ion energy and temperature on the sputtering yield were assessed. It was found that surface etching occurred for ion energies above 3.75 keV and TS = 373 K. Growth of the carbon films on a surface of the ITO targets took place for ion energies below 3.75 keV. In the case of the ion energy of 5 keV, the target was sputtered when the temperature was below 423 K, and the growth of the carbon films was observed for higher temperatures. It was found that increasing the temperature reduced the sputtering yield.