Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Сычикова, Я.А. |
|
dc.date.accessioned |
2016-11-14T17:43:45Z |
|
dc.date.available |
2016-11-14T17:43:45Z |
|
dc.date.issued |
2015 |
|
dc.identifier.citation |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1999-8074 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108713 |
|
dc.description.abstract |
В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровідників групи А3В5 при електрохімічній обробці. Механізм цього явища описаний з погляду когерентних явищ в стохастичних системах. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The paper discusses the characteristics of cluster formation on the surface of semiconductors A3B5 in electrochemical processing. The mechanism of this phenomenon is described in terms of coherent phenomena in stochastic systems. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физическая инженерия поверхности |
|
dc.title |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Модель формування кластерів на поверхні напівпровідникових кристалів групи А3В5 |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Model cluster formation on the surface of semiconductor crystals of the group A3B5 |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
539.217; 544.723 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті