Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физическая инженерия поверхности
→
Физическая инженерия поверхности, 2015 (том 13)
→
Физическая инженерия поверхности, 2015, № 2
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Хайдаров, З.
dc.contributor.author	Юлдашев, Х.Т.
dc.contributor.author	Хайдаров, Б.З.
dc.contributor.author	Урмонов, С.
dc.date.accessioned	2016-11-14T17:35:33Z
dc.date.available	2016-11-14T17:35:33Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.citation	Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом / З. Хайдаров, Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, С. Урмонов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 136-140. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1999-8074
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108710
dc.description.abstract	В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований изучения физических процессов в чрезмерно тонкой (3–20 мкм) газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основной механизм формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия.	uk_UA
dc.description.abstract	У даній роботі наводяться результати експериментальних досліджень фізичних процесів у надмірно тонкою (3–20 мкм) газорозрядної осередку з напівпровідниковим електродом. Експериментально підтверджується, що основним механізмом формування зображення в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія.	uk_UA
dc.description.abstract	The results of experimental researches of the physical processes in excessively thin gas-discharged cell with semiconductor electrode are given in this work. It is confirmed that the main mechanism of the formation of the image in semiconductor ionization camera is auto electron emission.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физическая инженерия поверхности
dc.title	Фотоэлектрические явления в сверхтонком (3-20 мкм) зазоре газового разряда с полупроводниковым электродом	uk_UA
dc.title.alternative	Фотоелектричні явища в надтонкому (3–20 мкм) зазорі газового розряду з напівпровідниковим електродом	uk_UA
dc.title.alternative	Photoelectric phenomena in ultrathin (3–20 μm) of the gap gas discharge with a semiconductor electrode	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.393.3:621.382:621.385